硅氮化物是半导体制造中常用的薄膜。在后续工艺之前，必须将其完全去除。热磷酸具有良好的氮化物与氧化物选择性。通过过滤保持药液洁净是实现有效清洗的关键。热磷酸氮化物剥离在180°C下进行，采用石英槽完成。通过注入纯水（DI水）来控制温度和蚀刻速率。