内联单面多晶硅蚀刻 InPolySide® 3+ 为 TOPCon 应用提供出色的背面和边缘蚀刻。去除了 LPCVD 和 PECVD 的多晶硅缠绕。具备高通量和十分灵活的晶圆尺寸，是下一代太阳能电池的理想工具。InPolySide® 设计为节省空间的单机床解决方案，涵盖预氧化物蚀刻、多晶硅蚀刻、清洁或玻璃蚀刻和冲洗这些步骤。无需额外的晶圆处理。
特点与优势 无分流 TopCon 电池的边缘蚀刻 高度可变且知名的工艺，可适应客户需求： - 低 CoO - N 型电池 - 适用于所有可用类型多晶硅（PECVD、LPCVD）的选择性发射极 RENA 专利工艺 高度优化的硬件配置和流程设置 单机床解决方案
