单面氧化刻蚀 RENA InEtchSide 自动化处理设备设计用于单面去除二氧化硅层与掺杂玻璃（例如 PSG 或 BSG）。这可用在设计高效电池概念中，例如使用氢氟酸 (HF) 的单面氧化刻蚀。其基于 RENA NIAK 链式平台。
采用 5 道链式工艺的全自动湿法化学单面刻蚀单面去除二氧化硅 (SiO2)、掺杂玻璃 (PSG/BSG)使用 HF 进行单面处理（可选择添加化学品，例如 H2SO4 或 BHF）集成冲洗与干燥晶圆产能高达 5000 片/小时可相容 M0、M1、M2 与 M4 硅片尺寸借助 Bleed + Feed（分供）功能延长蚀槽寿命精确的计量系统，实现稳定的槽液组成使用无 O 型环辊设计破损率业界最低基于 RENA NIAK 链式处理平台运行时间长易于维护
