InEtchSide 4

Einseitige Oxid-Ätzung

Die automatische Verarbeitungsanlage RENA InEtchSide wurde für die einseitige Entfernung von Siliziumoxid-Schichten und dotiertem Glas (z. B. PSG oder BSG) entwickelt. Dies kann bei der Herstellung hocheffizienter Zellenkonzepte zum Einsatz kommen, u. a. bei der einseitige Oxid-Ätzung mittels Fluorwasserstoffsäure (HF). Die Anlage wurde auf Grundlage der RENA NIAK Inline-Plattform entwickelt.

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Funktionen und Vorteile

Vollautomatische, nasschemische, einseitige Ätzung in einem Inline-Prozess auf 5 Spuren
Einseitige Entfernung von Siliziumoxid (SiO2), dotiertem Glas (PSG/BSG)
Einsatz von HF für die einseitige Verarbeitung (optional weitere Chemikalien, z. B. H2SO4 oder BHF)
Integrierte Spülung und Trocknung von Wafern
Durchsatz bis zu 5000 Wafern/Stunde
kompatibel mit Wafer-Größe M0, M1, M2 und M4
Lange Lebensdauer des Bades dank Feed-and-Bleed-Funktion
Akkurates Dosiersystem für eine konstante Zusammensetzung des Bades
Verwendung eines Rollendesigns ohne O-Ring
Branchenweit geringste Bruchraten
Basiert auf der RENA NIAK Inline-Verarbeitungsplattform
Hohe Verfügbarkeit
Einfache Wartung

Optionen

MES-Schnittstelle (SECS/GEM)
Medienschrank für Chemikalienversorgung
Abpumpstation für die Entfernung der Chemikalien/des Abwassers
Sensoren für die Prozesssteuerung (z. B. pH, Leitfähigkeit)

Einseitige Ätzung in einem Inline-Prozess auf 5 Spuren

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automatische Verarbeitungsanlage RENA InEtchSide

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