单面氧化刻蚀
新一代背面蚀刻工艺,吞吐量显著提升
RENA InEtchSide 4+ 自动化处理设备专为去除氧化硅层和掺杂玻璃(例如 PSG 或 BSG)而设计。高达 14 条通道的超高吞吐量可实现最高良率,并显著提升了其前代产品的性能。成熟优化的专利单面蚀刻工艺(RFL - 水封层)可最大程度地减少正面化学腐蚀。该设备适用于 IBC、TOPCon 或其他高效太阳能电池概念制造。与 RENA BatchEtch 和 RENA BatchPolyClean 系列设备完美配合,该集群可处理所有已知的晶圆尺寸。



