Verbesserter Durchsatz bei der Rückseitenätzung der nächsten Generation

Die automatisierte Bearbeitungsanlage RENA InEtchSide 4+ ist für die Entfernung von Siliziumoxidschichten und dotierten Gläsern (z. B. PSG oder BSG) konzipiert. Der extrem hohe Durchsatz auf bis zu 14 Bahnen ermöglicht höchste Ausbeute und stellt eine deutliche Verbesserung gegenüber dem Vorgängermodell dar. Das bewährte und optimierte, patentierte einseitige Ätzverfahren (RFL – Water Capping) minimiert den chemischen Angriff auf die Vorderseite. Die Anlage wird in der IBC-, TOPCon- und anderen Fertigungsprozessen für hocheffiziente Solarzellen eingesetzt. In Kombination mit den Serien RENA BatchEtch und RENA BatchPolyClean verarbeitet das System alle gängigen Waferformate.