Siliziumkarbid wird zunehmend in der Leistungselektronik und in Automobilchips eingesetzt, um die Elektromobilität voranzutreiben. Kleinere Bauteile, kürzere Ladezeiten und ein verbesserter Gesamtwirkungsgrad sind nur einige der Vorteile von SiC gegenüber dem Standardmaterial Silizium. Daher wird die SiC-Chip-Technologie mit ihrer breiten Bandblücke als die Zukunft der batteriebetriebenen Elektrofahrzeuge (BEV) angesehen. Einige Aspekte der SiC-Verarbeitung stellen jedoch weiterhin eine Herausforderung dar. Zum Beispiel widersteht das inerte Material allen gängigen Nassätzverfahren. Das ACE-Verfahren von RENA überwindet diese Einschränkungen und kombiniert die Leistungsfähigkeit des elektrochemischen Ätzens mit der einfachen Handhabung des herkömmlichen chemischen Ätzens in einem neuartigen System.