Der erste und entscheidende Schritt in der Halbleiterherstellung ist die Wafer-Herstellung. Die Oberflächenqualität und -reinheit der blanken, d.h. unstrukturierten Wafer ist von grundlegender Bedeutung für die Qualität der Halbleiterbauelemente. RENA stellt vollautomatische Nassbänke für die Oberflächenreinigung und das Ätzen von Halbleiterwafern her, die einen hohen Durchsatz, eine hohe Ausbeute, eine präzise Prozesssteuerung sowie hervorragende Oberflächenbehandlungsergebnisse liefern. Unsere Anlagen sind in der Lage, sowohl 200 mm als auch 300 mm Wafer zu bearbeiten, mit oder ohne Carrier unter Verwendung von Voll- oder Halb-Waferkassetten. Die chemischen Stationen können an die Prozessanforderungen des Kunden und das Wafermaterial angepasst werden, einschließlich monokristallinem Silizium (Si), Germanium (Ge), Galliumarsenid (GaAs) und Galliumnitrid (GaN).

RENA's Unstrukturierte-Wafer-Bearbeitungsplattformen können nach dem Läppen, nach dem chemisch-mechanischen Polieren (CMP), vor dem Epitaxie-Wachstum und beim letzten Reinigungsschritt eingesetzt werden. Unsere Anlagen eignen sich auch für die Wiederaufbereitung von bereits strukturierten Halbleiterwafern.