Einer der wichtigsten Schritte bei der Halbleiterherstellung ist die elektrochemische Abscheidung von metallischen Verbindungen, die elektrische Schaltkreise bilden. Die Beschichtung ist ein schneller und kostengünstiger Weg für metallische Verbindungen bei der Herstellung von Bauelementen und fortschrittlichen Verpackungen. Das Halbleitersegment von RENA bietet hochwertige manuelle und automatisierte Galvanikplattformen für eine Vielzahl von Beschichtungsanwendungen, wie Damaszener, Barrierediffusionsschicht, Under Bump Metallization (UBM), Bumping, Säulen, Through Silicon Vias (TSVs) und Through Glass Vias (TGVs). Die manuellen und automatisierten Galvanikplattformen von RENA liefern hervorragende Prozessergebnisse bei der Herstellung von MEMS-Sensoren, CMOS-Bildsensoren, LEDs, RF- und photonischen Bauteilen. Die fortschrittliche Fountain-technologie von RENA garantiert eine optimale Strömungsdynamik und eine präzise Steuerung des elektrischen Feldes. Diese Eigenschaften bieten den Kunden eine optimale Elektrolyt-Austauschrate an der Substratoberfläche sowie eine hervorragende Gleichmäßigkeit und Ausbeute selbst bei hohen Beschichtungsraten. Unsere manuelle Galvanikstation, EPM, hat eine kompakte Stellfläche und ist ideal für R&D-Anwendungen und die Produktion in kleinem Maßstab. Neben dem Feuchtwasserbecken verfügt die EPM über einen QDR-Tank (Quick Dump Rinse) für die anschließende Oberflächenreinigung. Die automatisierte Galvanikplattform EPA von RENA eignet sich für die Großserienproduktion und ermöglicht den Kunden die gleichzeitige Durchführung mehrerer Beschichtungsprozesse. Oberflächenvorbereitungsschritte wie Resistentfernung, Ätzen der Keimschicht, Reinigung und Trocknung gewährleisten einen reibungslosen Prozessablauf mit hoher Produktivität. Die modular aufgebauten Galvanikplattformen sind hochflexibel. Es können Wafer-Substrate von 75 mm bis 200 mm verarbeitet werden und ein schneller Wechsel der Substratgröße ist gewährleistet. Zahlreiche Arten von Legierungen sowie reine Metalle werden zuverlässig abgeschieden, wie Nickel (Ni), Gold (Au), Zinn (Sn), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Zinnsilber (SnAg), Indium (In) und andere. Diese Metalle können elektrochemisch auf verschiedenen Trägermaterialien wie Si, Siliziumkarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN), Indiumphosphid (InP), Glas, Saphir und Aluminiumoxid (Al2O3) abgeschieden werden.