Siliziumkarbid (SiC) gewinnt in der Leistungselektronik und der automobilen Halbleitertechnik zunehmend an Bedeutung und gilt als Schlüsseltechnologie für die Elektromobilität. Im Vergleich zu herkömmlichem Silizium bietet SiC mehrere Vorteile, darunter kleinere Bauteilgrößen, kürzere Ladezeiten und eine höhere Effizienz. Aufgrund seiner Wide-Band-Gap-Eigenschaften ist es besonders vielversprechend für die Zukunft batterieelektrischer Fahrzeuge (BEVs). Die Verarbeitung von SiC bringt jedoch besondere Herausforderungen mit sich – insbesondere seine träge Natur, die es gegen alle gängigen Nassätzverfahren resistent macht. Der ACE-Prozess von RENA stellt einen Durchbruch dar, indem er durch ein innovatives Anlagendesign das chemische Ätzen von SiC ermöglicht.